IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）即絕緣柵雙極晶體管，是一種高效的功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于各種電力和電子設(shè)備中。

IGBT的工作原理與雙極晶體管（BJT）和場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）有所不同，它結(jié)合了二者的優(yōu)點(diǎn)。IGBT是一種PNP-NMOS結(jié)構(gòu)，有三個(gè)區(qū)域：一個(gè)P型區(qū)、一個(gè)N型區(qū)和一個(gè)P型區(qū)，分別連接一個(gè)集電極、一個(gè)源極和一個(gè)柵極。

當(dāng)一個(gè)正電壓被施加到集電極時(shí)，P區(qū)中的大量少數(shù)載流子會(huì)擴(kuò)散到N區(qū)，形成電流。在此時(shí)，通過(guò)柵極施加一個(gè)正電壓可以引起柵極和N型區(qū)之間的PN結(jié)反向偏置，這將限制P區(qū)中的少數(shù)載流子數(shù)量并減小電流。這種限制電流的作用類似于BJT中的基極控制。

當(dāng)柵極電壓增大時(shí)，PN結(jié)的反向偏置會(huì)變?nèi)?，P區(qū)中的少數(shù)載流子數(shù)量也會(huì)增多，導(dǎo)致電流增加。當(dāng)柵極電壓下降時(shí)，PN結(jié)的反向偏置會(huì)增強(qiáng)，P區(qū)中的少數(shù)載流子數(shù)量會(huì)減少，導(dǎo)致電流減小。這種變化類似于FET中的場(chǎng)效應(yīng)。

因此，IGBT可以通過(guò)柵極控制電流，并且具有高電壓承受能力和低開(kāi)關(guān)損耗的優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于各種高功率電子設(shè)備和電力應(yīng)用中。